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IRF3708/S/LPbF
3500
2800
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10
8
I D = 24.8A
V DS = 15V
Ciss
2100
6
1400
700
Coss
4
2
0
1
Crss
10
100
0
0
10
20
30
40
50
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10us
100us
1
10
1ms
10ms
0.1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0
2.6
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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